类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0045 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 83 W |
阈值电压 | 2.8 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 45A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 2000pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 3 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.41 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON IPD053N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V
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INFINEON IPD053N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V
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的OptiMOS ( TM ) 3功率三极管 OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
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