IPD068P03L3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252
描述:	Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFETInfineon OptiMOS™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPD068P03L3G 数据手册 (9 页)

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IPD068P03L3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252
极性	P-Channel
上升时间	100 ns
下降时间	31 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	100 W

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IPD068P03L3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.41 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃

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IPD068P03L3G 符合标准

IPD068P03L3G 概述

IPD068P03L3G 数据手册

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