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IPD082N10N3GATMA1
来自 AiPCBA

IPD082N10N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:IPD082N10N3GATMA1 数据手册 (12 页)
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焊盘图
引脚图
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IPD082N10N3GATMA1 数据手册 (12 页)
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IPD082N10N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率125 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.007 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压2.7 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)3980pF @50V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IPD082N10N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD082N10N3GATMA1 数据手册

IPD082N10N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.76 MByte
IPD082N10N3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD082N10N3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD082N10N3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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IPD082N10N3GATMA1 数据手册
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晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V
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100V,80A,N沟道功率MOSFET
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