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IPD082N10N3GBTMA1
来自 AiPCBA

IPD082N10N3GBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IPD082N10N3GBTMA1 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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IPD082N10N3GBTMA1 数据手册 (12 页)
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IPD082N10N3GBTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻7 mΩ
极性N-CH
功耗125 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)3980pF @50V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
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IPD082N10N3GBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD082N10N3GBTMA1 数据手册

IPD082N10N3GBTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.76 MByte
IPD082N10N3GBTMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD082N10N3GBTMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD082N10N3GBTMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V
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