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IPD09N03LBG
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IPD09N03LBG 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
PDF文件:IPD09N03LBG 数据手册 (12 页)
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IPD09N03LBG 数据手册 (12 页)
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IPD09N03LBG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)30.0 V
额定电流50.0 A
封装TO-252
输入电容1.60 nF
栅电荷13.0 nC
漏源极电压(Vds)30.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
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IPD09N03LBG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape
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IPD09N03LBG 数据手册

IPD09N03LBG 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.63 MByte

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