| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0092 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 136 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 120 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3240pF @60V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 136 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
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39 页 / 1.45 MByte
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Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD110N12N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 120 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V
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