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IPD110N12N3GATMA1
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IPD110N12N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
PDF文件:IPD110N12N3GATMA1 数据手册 (11 页)
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IPD110N12N3GATMA1 数据手册 (11 页)
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IPD110N12N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0092 Ω
极性N-Channel
功耗136 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)120 V
连续漏极电流(Ids)75A
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)3240pF @60V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136W (Tc)
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IPD110N12N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD110N12N3GATMA1 数据手册

IPD110N12N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.57 MByte
IPD110N12N3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
IPD110N12N3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
IPD110N12N3GATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte

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