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IPD110N12N3GBUMA1
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IPD110N12N3GBUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IPD110N12N3GBUMA1 数据手册 (11 页)
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IPD110N12N3GBUMA1 数据手册 (11 页)
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IPD110N12N3GBUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
额定功率136 W
极性N-CH
功耗136W (Tc)
漏源极电压(Vds)120 V
连续漏极电流(Ids)75A
输入电容值(Ciss)4310pF @60V(Vds)
耗散功率(Max)136W (Tc)
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IPD110N12N3GBUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD110N12N3GBUMA1 数据手册

IPD110N12N3GBUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.57 MByte
IPD110N12N3GBUMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IPD110N12N3GBUMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.75 MByte

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