| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0147 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 71 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1800pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 71 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 71W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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INFINEON IPD180N10N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD180N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V
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INFINEON IPD180N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V
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