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IPD180N10N3 G
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IPD180N10N3 G 数据手册 (9 页)
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IPD180N10N3 G 技术参数、封装参数

IPD180N10N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

IPD180N10N3 G 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.49 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
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IPD180N10N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD180N10N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD180N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD180N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
100V,43A,N沟道功率MOSFET
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