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IPD25N06S4L-30
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IPD25N06S4L-30 数据手册 (9 页)
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IPD25N06S4L-30 技术参数、封装参数

IPD25N06S4L-30 外形尺寸、物理参数、其它

IPD25N06S4L-30 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte
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Infineon(英飞凌)
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IPD25N06S4 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.7 V
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