| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.02 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 71 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2700pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 71 W |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 71W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IPD35N10S3L-26 是一款N沟道增强模式MOSFET, 具有低开关和传导功率损耗, 可实现高热能效率。
●IPD35N10S3L-26, SP000386184
● AEC-Q101合规
● MSL1高达260°C峰值回流
● 绿色设备
● 100％经过雪崩测试
● 坚固的包装, 良好的品质与可靠性
● 优化的总栅极电荷, 仅需较小的驱动器输出级
Infineon（英飞凌）
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Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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INFINEON IPD35N10S3L26ATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 V
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