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IPD50N06S2L-13
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IPD50N06S2L-13 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
PDF文件:IPD50N06S2L-13 数据手册 (8 页)
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IPD50N06S2L-13 数据手册 (8 页)
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IPD50N06S2L-13 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻10.2 mΩ
极性N-CH
功耗136 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压55 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)136 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IPD50N06S2L-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
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IPD50N06S2L-13 数据手册

IPD50N06S2L-13 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.14 MByte
IPD50N06S2L-13 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPD50N06S2L-13 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPD50N06S2L-13 开发手册
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