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IPD50N06S4L08ATMA2
来自 AiPCBA

IPD50N06S4L08ATMA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道 60V 50A
PDF文件:IPD50N06S4L08ATMA2 数据手册 (9 页)
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IPD50N06S4L08ATMA2 数据手册 (9 页)
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IPD50N06S4L08ATMA2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗71W (Tc)
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间2 ns
输入电容值(Ciss)4780pF @25V(Vds)
下降时间8 ns
耗散功率(Max)71W (Tc)
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IPD50N06S4L08ATMA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD50N06S4L08ATMA2 数据手册

IPD50N06S4L08ATMA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.15 MByte
IPD50N06S4L08ATMA2 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
158 页 / 1.98 MByte
IPD50N06S4L08ATMA2 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPD50N06S4L08ATMA2 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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