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IPD50R3K0CEAUMA1
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IPD50R3K0CEAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IPD50R3K0CEAUMA1 数据手册 (15 页)
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焊盘图
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产品图
IPD50R3K0CEAUMA1 数据手册 (15 页)
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IPD50R3K0CEAUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻2.7 Ω
极性N-CH
功耗26 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)2.6A
上升时间5.8 ns
输入电容值(Ciss)84pF @100V(Vds)
下降时间49 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)26W (Tc)
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IPD50R3K0CEAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPD50R3K0CEAUMA1 数据手册

IPD50R3K0CEAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.49 MByte

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