类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 66 W |
极性 | N-CH |
功耗 | 66 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.1A |
上升时间 | 14 ns |
输入电容值(Ciss) | 680pF @100V(Vds) |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 66000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
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10 页 / 0.77 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CPBTMA1, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPD50R520CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 550 V, 520 mohm, 10 V, 3 V
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