类型 | 描述 |
---|
封装 | TO-252-3-313 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 60A |
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4-12 TO-252-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件