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IPD60N10S4L12ATMA1
来自 AiPCBA

IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V
PDF文件:IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD60N10S4L12ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻9.8 mΩ
极性N-CH
功耗94 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)60A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)3170pF @25V(Vds)
下降时间21 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)94W (Tc)
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IPD60N10S4L12ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册

IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.12 MByte
IPD60N10S4L12ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPD60N10S4L12ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPD60N10S4L12ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

IPD60N10S4L12 数据手册

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场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3
IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V
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