类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.145 Ω |
功耗 | 72 W |
阈值电压 | 3.5 V |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 1081pF @400V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 72W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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场效应管(MOSFET) IPD60R180P7S TO-252
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
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