| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.145 Ω |
| 功耗 | 72 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1081pF @400V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 72000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 600 V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPD60R180P7S TO-252
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
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