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IPD60R1K0CEATMA1
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IPD60R1K0CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IPD60R1K0CEATMA1 数据手册 (14 页)
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IPD60R1K0CEATMA1 数据手册 (14 页)
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IPD60R1K0CEATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率37 W
通道数1 Channel
漏源极电阻1 Ω
极性N-CH
功耗37 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)4.3A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)280pF @100V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)37W (Tc)
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IPD60R1K0CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD60R1K0CEATMA1 数据手册

IPD60R1K0CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.51 MByte
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IPD60R1K0 数据手册

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IPD60R1K0CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
650V,6.8A,N沟道功率MOSFET
IPD60R1K0CEAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V
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