Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPD60R1K5CE Datasheet 文档
IPD60R1K5CE
来自 AiPCBA

IPD60R1K5CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:600V,1500mΩ,5A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD60R1K5CE 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPD60R1K5CE 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPD60R1K5CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)3.1A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)200pF @100V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)49000 mW
查看数据手册 >

IPD60R1K5CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IPD60R1K5CE 数据手册

IPD60R1K5CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.51 MByte

IPD60R1K5 数据手册

IPD60R1K5CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPD60R1K5CEAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
IPD60R1K5CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,1500mΩ,5A,N沟道功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet