IPD60R280P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

IPD60R280P7 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	TO-252

类型	描述
产品生命周期	Active
工作温度	-55℃ ~ 150℃

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.93 MByte

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.89 MByte

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

Infineon（英飞凌）

N沟道 600V 12A

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60R280CFD7 TO-252-3

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.237 ohm, 10 V, 4 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon（英飞凌）

N沟道 650V 12A

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60R280P7 TO-252-3

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