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IPD60R360P7ATMA1
来自 AiPCBA

IPD60R360P7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPD60R360P7ATMA1 数据手册 (14 页)
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焊盘图
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IPD60R360P7ATMA1 数据手册 (14 页)
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IPD60R360P7ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.305 Ω
功耗41 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)555pF @400V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)41W (Tc)
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IPD60R360P7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD60R360P7ATMA1 数据手册

IPD60R360P7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.2 MByte
IPD60R360P7ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD60R360P7ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
IPD60R360P7ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R360P7 数据手册

IPD60R360P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 9A
IPD60R360P7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V
IPD60R360P7SAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V
IPD60R360P7S 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPD60R360P7S TO-252
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