| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.342 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.6A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
19 页 / 2.8 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
42 页 / 1.35 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R380P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R380P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
