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IPD60R400CE
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IPD60R400CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:DPAK-252
描述:650V,14.7A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD60R400CE 数据手册 (17 页)
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IPD60R400CE 数据手册 (17 页)
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IPD60R400CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装DPAK-252
极性N-CH
功耗83 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)10.3A
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IPD60R400CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPD60R400CE 数据手册

IPD60R400CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
17 页 / 1.25 MByte
IPD60R400CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD60R400CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPD60R400CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R400 数据手册

IPD60R400CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
650V,14.7A,N沟道功率MOSFET
IPD60R400CEATMA1 数据手册
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IPD60R400CEAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
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