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IPD60R600C6ATMA1
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IPD60R600C6ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道 600V 7.3A
PDF文件:IPD60R600C6ATMA1 数据手册 (18 页)
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IPD60R600C6ATMA1 数据手册 (18 页)
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IPD60R600C6ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻540 mΩ
极性N-CH
功耗63 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)7.3A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)440pF @100V(Vds)
额定功率(Max)63 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)63W (Tc)
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IPD60R600C6ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD60R600C6ATMA1 数据手册

IPD60R600C6ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 1.24 MByte
IPD60R600C6ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD60R600C6ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPD60R600C6ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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