| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 63W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 440pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 63 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 63W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
●Infineon
● 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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场效应管(MOSFET) IPD60R600P7S TO-252-3
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
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