| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 63 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 557pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 63 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
●Infineon
● 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
Infineon（英飞凌）
19 页 / 2.78 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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42 页 / 1.35 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
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