类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.54 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 63 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 557pF @100V(Vds) |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 63 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.41 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
●Infineon
● 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPD60R600P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
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