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IPD65R190C7
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IPD65R190C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-252
描述:INFINEON  IPD65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPD65R190C7 数据手册 (15 页)
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IPD65R190C7 数据手册 (15 页)
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IPD65R190C7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
针脚数3 Position
漏源极电阻0.168 Ω
极性N-Channel
功耗72 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)13A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1150pF @400V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)72000 mW
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IPD65R190C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPD65R190C7 数据手册

IPD65R190C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.83 MByte
IPD65R190C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.53 MByte

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INFINEON  IPD65R190C7ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
IPD65R190C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPD65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
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