| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 83 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.34 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.6A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 710pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD65R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
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