| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 83 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.6A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 710pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
19 页 / 1.9 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD65R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
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