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IPD65R380E6ATMA1
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IPD65R380E6ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD65R380E6ATMA1 数据手册 (17 页)
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IPD65R380E6ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
额定功率83 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.34 Ω
极性N-CH
功耗83 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)10.6A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)710pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)83W (Tc)
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IPD65R380E6ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD65R380E6ATMA1 数据手册

IPD65R380E6ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
17 页 / 1.91 MByte
IPD65R380E6ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD65R380E6ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPD65R380E6ATMA1 开发手册
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