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IPD65R420CFDBTMA1
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IPD65R420CFDBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IPD65R420CFDBTMA1 数据手册 (21 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IPD65R420CFDBTMA1 数据手册 (21 页)
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IPD65R420CFDBTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率83.3 W
极性N-CH
功耗83.3W (Tc)
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)8.7A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)870pF @100V(Vds)
额定功率(Max)83.3 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)83.3W (Tc)
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IPD65R420CFDBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD65R420CFDBTMA1 数据手册

IPD65R420CFDBTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
21 页 / 4.47 MByte
IPD65R420CFDBTMA1 其他数据使用手册
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17 页 / 0.55 MByte

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