| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 63W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 700 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 440pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 13 ns |
| 耗散功率(Max) | 63W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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