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IPD65R650CE
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IPD65R650CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-252
描述:650V,7A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD65R650CE 数据手册 (16 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPD65R650CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
极性N-CH
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)7A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)440pF @100V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)86000 mW
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IPD65R650CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPD65R650CE 数据手册

IPD65R650CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
16 页 / 1.17 MByte
IPD65R650CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD65R650CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPD65R650CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 10.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
IPD65R650CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
650V,7A,N沟道功率MOSFET
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