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IPD65R650CEATMA1
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IPD65R650CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:IPD65R650CEATMA1 数据手册 (17 页)
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IPD65R650CEATMA1 数据手册 (17 页)
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IPD65R650CEATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率63 W
通道数1 Channel
漏源极电阻650 mΩ
极性N-CH
功耗86W (Tc)
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)7A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)440pF @100V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)86W (Tc)
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IPD65R650CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD65R650CEATMA1 数据手册

IPD65R650CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPD65R650 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 10.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
IPD65R650CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
650V,7A,N沟道功率MOSFET
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