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IPD65R650CEAUMA1
来自 AiPCBA

IPD65R650CEAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD65R650CEAUMA1 数据手册 (16 页)
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焊盘图
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IPD65R650CEAUMA1 数据手册 (16 页)
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IPD65R650CEAUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.54 Ω
极性N-CH
功耗86 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)10.1A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)440pF @100V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)86W (Tc)
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IPD65R650CEAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD65R650CEAUMA1 数据手册

IPD65R650CEAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
16 页 / 1.13 MByte
IPD65R650CEAUMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD65R650CEAUMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPD65R650CEAUMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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