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IPD65R660CFDBTMA1
来自 AiPCBA

IPD65R660CFDBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IPD65R660CFDBTMA1 数据手册 (21 页)
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IPD65R660CFDBTMA1 数据手册 (21 页)
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IPD65R660CFDBTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率62.5 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.594 Ω
极性N-CH
功耗62.5W (Tc)
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)615pF @100V(Vds)
额定功率(Max)62.5 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)62.5W (Tc)
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IPD65R660CFDBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD65R660CFDBTMA1 数据手册

IPD65R660CFDBTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
21 页 / 4.35 MByte
IPD65R660CFDBTMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte

IPD65R660 数据手册

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
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