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IPD70R600P7SAUMA1
来自 AiPCBA

IPD70R600P7SAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 700 V, 0.49 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD70R600P7SAUMA1 数据手册 (13 页)
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焊盘图
引脚图
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IPD70R600P7SAUMA1 数据手册 (13 页)
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IPD70R600P7SAUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.49 Ω
功耗43.1 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)700 V
上升时间5.5 ns
输入电容值(Ciss)364pF @400V(Vds)
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)43W (Tc)
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IPD70R600P7SAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD70R600P7SAUMA1 数据手册

IPD70R600P7SAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.15 MByte
IPD70R600P7SAUMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD70R600P7SAUMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPD70R600P7SAUMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPD70R600P7 数据手册

IPD70R600P7SAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 700 V, 0.49 ohm, 10 V, 3 V
IPD70R600P7S 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 700V 8.5A
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