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IPD80N04S3-06
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IPD80N04S3-06 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
PDF文件:IPD80N04S3-06 数据手册 (9 页)
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IPD80N04S3-06 数据手册 (9 页)
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IPD80N04S3-06 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗100W (Tc)
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)90A
输入电容值(Ciss)3250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)100 W
下降时间10 ns
耗散功率(Max)100W (Tc)
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IPD80N04S3-06 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD80N04S3-06 数据手册

IPD80N04S3-06 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.18 MByte
IPD80N04S3-06 其他数据使用手册
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2 页 / 0.02 MByte

IPD80N04 数据手册

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N沟道 40V 90A
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