| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 800 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.7A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 785pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 83 W |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新
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800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET
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