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IPG20N04S409ATMA1
来自 AiPCBA

IPG20N04S409ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPG20N04S409ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG20N04S409ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG20N04S409ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TDSON-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0079 Ω
极性N-CH
功耗54 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)1730pF @25V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)54000 mW
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IPG20N04S409ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPG20N04S409ATMA1 数据手册

IPG20N04S409ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.13 MByte
IPG20N04S409ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPG20N04S409ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPG20N04S409ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V
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