| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8-4 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1130pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 41 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.15 mm |
| 宽度 | 6.15 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
●Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●N 通道 - 增强模式
●AEC 合格
●MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
●175°C 工作温度
●绿色产品（符合 RoHS 标准）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPG20N04S4L08ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPG20N04S4L-08 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPG20N04S4L11ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V
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的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
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Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.7 V
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S412ATMA1, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
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