类型 | 描述 |
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封装 | PG-TDSON-8 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPG20N04S4L-08 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
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INFINEON IPG20N04S4L08ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
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