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IPG20N06S2L50ATMA1
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IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TDSON-8-4
描述:INFINEON  IPG20N06S2L50ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
PDF文件:IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPG20N06S2L50ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TDSON-8-4
针脚数8 Position
漏源极电阻0.039 Ω
极性Dual N-Channel
功耗51 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)560pF @25V(Vds)
额定功率(Max)51 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)51000 mW
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IPG20N06S2L50ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.9 mm
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册

IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.15 MByte
IPG20N06S2L50ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPG20N06S2L50ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPG20N06S2L50ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte
IPG20N06S2L50ATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.1 MByte

IPG20N06S2L50 数据手册

IPG20N06S2L-50 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPG20N06S2L-50  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
IPG20N06S2L50ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPG20N06S2L50ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
IPG20N06S2L50AATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
2个N沟道 55V 20A
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Infineon（英飞凌）
N沟道 55V 20A
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