类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TDSON-8 |
通道数 | 2 Channel |
极性 | N-CH |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 1.1 V, 1.1 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | ±100 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22 TDSON-8-4
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
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场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22A TDSON-8
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