类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PG-TDSON-8-10 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.02 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
上升时间 | 3 ns |
输入电容值(Ciss) | 1755pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 60 W |
下降时间 | 18 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 20A 60W 表面贴装,可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
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Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22 TDSON-8-4
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
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场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22A TDSON-8
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