| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TDSON |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 2 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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N-沟道 100 V 36 mΩ 15 nC OptiMOS™-T2 功率-晶体管 - TDSON-8-10
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 1.6 V
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场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35A TDSON-8
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