类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 5 Pin |
封装 | Thin-Pak |
功耗 | 201 W |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 2895pF @400V(Vds) |
下降时间 | 4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 201000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPL60R065P7 VSON-4(8.1x8.1)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPL60R065C7 VSON-4-EP(8.1x8.1)
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