IPL60R185P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

IPL60R185P7 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	ThinPAK 8x8

类型	描述
产品生命周期	Active
工作温度	-40℃ ~ 150℃

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.34 MByte

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270 页 / 11.59 MByte

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37 页 / 2.89 MByte

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37 页 / 2.01 MByte

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.149 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.159 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.153 ohm, 10 V, 4 V

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